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Campo eléctrico y magnético - Fuerza electrostática - Ley de Coulomb - Cargas positivas y negativas - Campo eléctrico, líneas de fuerza de un campo eléctrico - Unidad de campo eléctrico - Polarización de un material conductor - Polarización de un dieléctrico - Constante dieléctrica - Densidad de flujo eléctrico. Densidad de corriente - Inducción magnética
Campo magnético - Campo magnético - Materiales ferromagnéticos - Fuerza magnética inducida en un cable conductor. Primera ley de la mano derecha - Campo magnético creado por una corriente en un cable conductor. Segunda ley de la mano derecha - Tensión inducida, Ley de Faraday. Ley de Lenz, autoinductancia - Galvanómetro balístico - Impedancia - Adaptación de impedancias para max. transferencia de potencia - Adaptación de impedancia con transformador - Acoplamiento de impedancia para máxima tensión de señal a transmitir - Análisis de mallas en circuitos resistivos - Análisis de nodos en circuitos resistivos - Transistor como switch / interruptor - Diseño de interruptor / switch con transistor bipolar - Amplificador a transistor emisor común - Amplificador a transistor seguidor emisor - Amplificador contrafásico o Push-Pull - Distorsión en amplitud y por no linelidad de un amplificador a transistor - Distorsión de frecuencia y fase de un amplificador a transistor - FET: Amplificador surtidor común - FET: Realimentación negativa en amplificador surtidor común. Condensador de derivación - FET: Amplificador surtidor común. Equivalente AC, ganancia de tensión - FET: Amplificador seguidor de cátodo - Amplificador diferencial - Conversión Delta - Estrella y Estrella - Delta - Convertidor tensión - corriente - La Luz: características y estructura - Espectro electromagnético Amplificadores a transistores - Modelos de pequeña señal - Redes bi-puerta - Análisis de circuitos con parámetros {H} - Análisis de circuitos con parámetros {H} (2) - Modelo híbrido {H} de un transistor bipolar - Obtención de parámetros {H} partiendo de las características de un transistor bipolar - Variación de los parámetros {H} en un transistor debido al cambio de Ic y la temperatura
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