El transistor de uni-unión (unijunction transistor) o UJT está constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor.
En la figura 12.21.a aparece la estructura física de este dispositivo. El emisor está fuertemente dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n.
Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto).
El modelo equivalente representado en la figura 12.21.b está constituido por un diodo que excita la unión de dos resistencias internas, R1 y R2 , que verifican RBB = R1 + R2.
Cuando el diodo no conduce, la caída de tensión en R1 (V1) se puede expresar como
en donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y n es el factor de división de tensión conocido como relación intrínseca.
El modelo de este dispositivo utilizando transistores se muestra en la figura 12.21.c, cuya estructura es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conducción los transistores la caída de tensión en R es muy baja. El símbolo del UJT se muestra en la figura 12.21.d.
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