Manipulación
del MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor)
MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta
aislada. El aislamiento entre la compuerta y el canal es el dióxido de
silicio (SiO2). Ver el siguiente diagrama.
Esta capa aislante (área gris) es tan delgada que se si
produjera un campo eléctrico fuerte, podría destruirse, es por eso
que la manipulación del MOSFET es tan importante
Debido a la alta resistencia de la capa de
dióxido de silicio, la carga en el capacitor
no se dispersa rápidamente , sino que se acumula. Esta acumulación de carga
puede producir un campo eléctrico destructivo.
El mayor peligro para un MOSFET son las
cargas
estáticas durante la manipulación del mismo en un día seco. También causan
peligro los cautines para soldar, que por lo general no están aislados de la
línea de corriente alterna (C.A.).
Para evitar que el MOSFET se dañe de manera
accidental, algunos fabricantes incluyen un diodo
zener conectado entre la compuerta (G) y la fuente (S) con el ánodo hacia
la compuerta y el cátodo hacia la fuente.
 Este zener esta diseñado para que conduzca a 50
voltios por lo que VGS (tensión compuerta - fuente) siempre se mantendrá
por debajo o igual al valor de esta tensión, y
por ende por debajo del valor de tensión destructivo. Ver la figura.
Otra manera de asegurarse de que el MOSFET no se
dañe es almacenarlo y transportarlo con ayuda de esponjas conductoras, que
cortocircuitan los terminales del MOSFET y así no exista tensión entre ellos.
Si no fuese posible conocer si el MOSFET tiene la
protección antes mencionada, la persona que manipulará el elemento debe de
asegurarse que su cuerpo no esté cargado de estática. Existen unas
pulseras especiales conectadas a un punto de tierra, pensadas para mantener
descargado el cuerpo del usuario.
Enlaces relacionados
- C-MOSFET
- FET de juntura o JFET
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