Electrónica Unicrom

 Portada  Componentes electrónica  Conceptos electrónica  PIC, PLC, Osciladores, Filtros  Digitales 
 Circuitos  UPS y Fuentes  Instrumentos y mediciones  Telecom  Computadoras  Artículos  Foros 
Registro Ayuda
Usuario:
Contraseña:
Recordar contraseña Olvidó contraseña?
Menú para Invitado
- Tópicos activos (0)
- Artículos nuevos (0)
- Nuev. descargas (0)
- Mensajes priv.
- Mis favoritos
- Estadísticas
- Mensajes en línea

Miembros: 24720
Miembros Hoy: [2]
Usuarios activos:
1 miembros y 187 invitados
 
 

Contenido adicional
Normas y Guía de los Foros
Foros archivados
Artículos generales
Avisos Clasificados
Directorio de Enlaces
Sitios amigos
Archivo de noticias
Descargas
Mapa del Sitio
Colaboran con Unicrom
Mensaje de bienvenida
Principiantes
Glosario electrónica
 
 

Patrocinadores

 
 

MOSFET - MOS FET

MOSFET: Principio de operación

1 MOSFET 2 Operación básica del MOSFET


Principio de operación de un MOSFET

Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensión en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)

MOSFET de canal N, principio de operación  -  Electrónica Unicrom            MOSFET de canal P, principio de operación  -  Electrónica Unicrom

Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar en la compuerta. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos.

El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.

En el caso del MOSFET de canal P, se da una situación similar. Cuando se aplica una tensión negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atraídos hacia la compuerta y pasan a través del canal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensión aplicada a la compuerta.

Debido a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.

Nota: El sentido de la corriente mostrada en los diagramas el es convencional, no la del flujo de electrones.


Enlaces relacionados
- Manipulación del MOSFET
- C-MOSFET
- Transistor uniunión (UJT)
- Transistor de Uniunión programable (PUT)
- Transistor Darlington


<< MOSFET


Recomendar a un amigo Recomendar este Tutorial a un amigo
 

 
 

Servicios


  Correo Unicrom

Suscríbirme al boletín de
Electrónica Unicrom

Alojado en eListas.net
 
 

Patrocinadores




 

 
 


Poner Unicrom como página de inicio Poner Unicrom en Favoritos Privacidad   © 2002-8 Unicrom.com All Rights Reserved. MaxWebPortal Snitz Forums Ir arriba