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Principio de operación de un MOSFET
Tanto
en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensión en la
compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)
Para
que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe
aplicar en la compuerta. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y
el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P
entre ellos.
El
movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un
puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura
de este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la
tensión aplicada a la compuerta.
En el caso del MOSFET de canal P, se da una
situación similar. Cuando se aplica una tensión negativa en la compuerta, los
huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son
atraídos hacia la compuerta y pasan a través del canal N que hay entre ellos,
creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y
la cantidad de corriente) depende de la tensión aplicada a la compuerta.
Debido a la delgada capa de óxido que hay entre
la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La
corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensión
aplicada a la compuerta.
Nota: El sentido de
la corriente mostrada en los diagramas el es convencional, no la del flujo de
electrones.
Enlaces relacionados
- Manipulación del MOSFET
- C-MOSFET
- Transistor uniunión (UJT)
- Transistor de Uniunión programable (PUT)
- Transistor Darlington
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