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C-MOSFET - C-MOS FET


C-MOSFET (Complementary MOS FET)

Principio de operación.

C-MOS FET es la abreviación de Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ó Complementary MOS FET ó MOSFET complementario.

C-MOS FET, configuración y principio de operación  -  Electrónica Unicrom

Este circuito es la combinación de un MOSFET de canal P y un MOSFET de canal N.

Funcionamiento:

- Cuando la entrada tiene un nivel de tensión negativo (L), el MOSFET de canal P conduce y el MOSFET de canal N no lo hace
- Cuando la entrada tiene un nivel de tensión positivo (H), el MOSFET de canal N conduce y el MOSFET de canal P no lo hace

C-MOS FET con entrada en nivel bajo (L) y salida alta (H)  -  Electrónica UnicromSe puede ver que el funcionamiento de ambos es siempre opuesto. Una característica importante de este circuitos es que la corriente de salida, que se puede considerar relativamente alta, es controlada con facilidad.

Cuando la entrada está en nivel bajo (L), la salida está conectada directamente a la fuente de alimentación a través del MOS FET de canal P y se tiene un nivel alto (H).

Cuando la entrada está en nivel alto (H), la salida está conectada directamente a la tierra a través del MOS FET de canal N y se tiene un nivel bajo (L).

C-MOS FET con entrada en nivel alto (H) y salida baja (L)  -  Electrónica UnicromEl nivel de salida de la salida es siempre el inverso que el de la entrada (hay inversión de fase).

En el circuito C-MOS FET el MOSFET de canal P y el de canal N podrían no iniciar o dejar la conducción bajo las mismas condiciones, esto debido a que la tensión en la compuerta, que hace que el MOSFET deje de conducir, tiene un valor que va de 1 a 2 voltios.

Esta característica depende de cada MOSFET en particular y es común observar que la corriente de drenaje de un MOSFET es cero (MOSFET en corte) aún cuando la tensión en la compuerta no lo sea.

Enlaces relacionados
- Transistor uniunión (UJT)
- Transistor de Uniunión programable (PUT)
- Transistor Darlington

 

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