Región de saturación y ruptura de transistor NMOS FET

Región de saturación de un MOSFET de canal N (NMOS)

El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión VGS. Verifica las siguientes ecuaciones

siendo ß el parámetro descrito en la ecuación 1.24. Ver: MOSFET en regiones de corte y lineal

En esta región, la relación cuadrática entre VGS e ID se representa en la gráfica de la izquierda de la figura 1.16 (Ver: MOSFET en regiones de corte y lineal), y de una manera similar a los transistores JFET, puede ser utilizada para determinar por métodos gráficos el punto de polarización de los transistores aunque rara vez se recurre a ellos.

Región de ruptura de un MOSFET de canal N (NMOS)

Un transistor MOS puede verse afectado por fenómenos de avalancha en los terminales drenador y fuente, y roturas en la capa de óxido fino de la puerta que pueden dañar irreversiblemente al dispositivo.

Por último, señalar que en la tabla 1.3 se indican las diferencias en el signo y sentido de las corrientes y tensiones existentes entre transistores NMOS y PMOS.

Enlaces relacionados
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