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FET: Transistores efecto de campo

Región de saturación y ruptura de transistor NMOS FET

Este artículo forma parte del siguiente tutorial >>>


Región de saturación de un MOSFET de canal N (NMOS)

El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión VGS. Verifica las siguientes ecuaciones

Formula del transistor NMOS en región de saturación - Electrónica Unicrom

siendo ß el parámetro descrito en la ecuación 1.24. Ver: MOSFET en regiones de corte y lineal

En esta región, la relación cuadrática entre VGS e ID se representa en la gráfica de la izquierda de la figura 1.16 (Ver: MOSFET en regiones de corte y lineal), y de una manera similar a los transistores JFET, puede ser utilizada para determinar por métodos gráficos el punto de polarización de los transistores aunque rara vez se recurre a ellos.

Región de ruptura de un MOSFET de canal N (NMOS)

Un transistor MOS puede verse afectado por fenómenos de avalancha en los terminales drenador y fuente, y roturas en la capa de óxido fino de la puerta que pueden dañar irreversiblemente al dispositivo.

Convenio de signos en las tensiones y corrientes de un transistor NMOS y PMOS - Electrónica Unicrom

Por último, señalar que en la tabla 1.3 se indican las diferencias en el signo y sentido de las corrientes y tensiones existentes entre transistores NMOS y PMOS.

Enlaces relacionados
- FET de juntura o JFET
- MOSFET
- Manipulación del MOSFET
- C-MOSFET


<< Regiones de corte y lineal en Transistores MOSFET
Polarización de los FETs>>




Contenido del Tutorial
Transistores de efecto de campo (FET)
1 FET y MOSFET. Ventajas y desventajas
2 Características eléctricas del JFET
Regiones de operación FET
3 Regiones de corte y lineal
4 Regiones de saturación y ruptura

5 Transistores MOSFET
Regiones de operación MOSFET
6 Regiones de corte y lineal
7 Regiones de saturación y ruptura
8 Polarización de los FETs

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