SCR - Rectificador controlado de silicio. Símbolo, estructura y funcionamiento básico.
El SCR es un dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal.
El símbolo y estructura del SCR son:
Analizando los diagramas: A = ánodo, G = compuerta o Gate, C = K = cátodo
Funcionamiento básico del SCR
El siguiente gráfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su funcionamiento.
 Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa más corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, y......
Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.
Los parámetros del SCR son:
- VRDM: Máximo voljaje inverso de cebado (VG = 0)
- VFOM: Máximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
- IF: Máxima corriente directa permitida.
- PG: Máxima disipación de potencia entre compuerta y cátodo.
- VGT-IGT: Máximo votaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
- IH: Mínima corriente de ánodo requerida para mantener cebado el SCR
- dv/dt: Máxima variación de voltaje sin producir cebado.
- di/dt: Máxima variación de corriente aceptada antes de destruir el SCR.
Nota: dv/dt, di/dt: Ver parámetros del SCR en SCR en corriente continua
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