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SCR - Silicon Controled Rectifier

SCR - Silicon Controled Rectifier



Contenido del tutorial
1 SCR: Símbolo, estructura, funcionamiento, parámetros
2 SCR: Curva característica

SCR - Símbolo, estructura y funcionamiento básico.

El SCR (Silicon Controled Rectifier / Rectificador controlado de silicio) es un dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador casi ideal.

El símbolo y estructura del SCR se muestran en la figura.

Estructura y símbolo de un SCR - Electrónica Unicrom

Analizando los diagramas:
A = ánodo, G = compuerta o Gate y C = K = cátodo

Funcionamiento básico del SCR

El siguiente gráfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su funcionamiento.

Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1.

IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa más corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, y......

Circuito equivalente de un SCR - Electrónica Unicrom

Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.

Los parámetros del SCR son:

- VRDM: Máximo voljaje inverso de cebado (VG = 0)
- VFOM: Máximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
- IF: Máxima corriente directa permitida.
- PG: Máxima disipación de potencia entre compuerta y cátodo.
- VGT-IGT: Máximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
- IH: Mínima corriente de ánodo requerida para mantener cebado el SCR
- dv/dt: Máxima variación de voltaje sin producir cebado.
- di/dt: Máxima variación de corriente aceptada antes de destruir el SCR.

Nota: dv/dt, di/dt: Ver parámetros del SCR en SCR en corriente continua

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