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FET: Transistores efecto de campo

Polarización de los FET

Este artículo forma parte del siguiente tutorial >>>


1.9 Polarización de los FET

Los circuitos básicos que se utilizan para polarizar los BJT se pueden emplear para los MOSFET.

EL JFET tiene el inconveniente de que la tensión VGS debe ser negativa en un NJFET (positiva en un PJFET) que exige unos circuitos de polarización característicos para este tipo de dispositivos.

En este apartado únicamente se presentan dos de los circuitos más utilizados: polarización simple (figura 1.17), se utiliza una fuente de tensión externa para generar una VGS<0, y autopolarización (figura 1.18), la caída de tensión en la resistencia RS debida a ID permite generar una VGS<0.

Circuito de polarización simple de un NJFET.  Diagrama circuital y Ecuaciones analíticas - Electrónica Unicrom

Polarización simple de un NJFET. Representación gráfica del punto de trabajo. Electrónica Unicrom,

Autopolarización de un NJFET. Diagrama circuital y  Ecuaciones analíticas - Electrónica Unicrom

Autopolarización de un NJFET. Representación gráfica del punto de trabajo -  Electrónica Unicrom

Por: Gustavo A. Ruiz Robredo ruizrg@unican.es

Enlaces relacionados
- FET de juntura o JFET
- MOSFET
- Manipulación del MOSFET
- C-MOSFET


<< Regiones de saturación y ruptura en Transistores MOSFET




Contenido del Tutorial
Transistores de efecto de campo (FET)
1 FET y MOSFET. Ventajas y desventajas
2 Características eléctricas del JFET
Regiones de operación FET
3 Regiones de corte y lineal
4 Regiones de saturación y ruptura

5 Transistores MOSFET
Regiones de operación MOSFET
6 Regiones de corte y lineal
7 Regiones de saturación y ruptura
8 Polarización de los FETs

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