Modos de operación del BJT:
Región de ruptura y zona inversa

Región de ruptura

Las tensiones máximas que pueden soportar las uniones pn inversamente polarizadas se denominan tensiones de ruptura.

Cuando se alcanza estas tensiones existe peligro de ruptura del transistor debido a dos fenómenos: ruptura por avalancha y ruptura por perforación.

El fabricante proporciona dos tensiones máximas (VCEO, VCES) que limitan de alguna manera las tensiones máximas de polarización en continua los transistores.

La VCEO define la tensión máxima entre el colector y emisor, estando la base en circuito abierto, antes de que se produzca fenómenos de multiplicación de avalancha que incrementa exponencialmente la ICO a través de la unión de colector.

La VCES define la tensión máxima del colector, estando la base en cortocircuitada al emisor, antes de que la anchura de la región de transición alcance el emisor perforando la región de base.

Gráficamente, en la figura 1.7 se muestra la definición de ambas tensiones. Por ejemplo, el transistor BC547 tiene VCES=50 V y VCEO=45 V, y son éstas tensiones las que limitan las propias tensiones máximas de alimentación.

Zona inversa

En la región inversa los terminales colector y emisor se intercambian, es decir, el emisor hace la función de colector y viceversa. Las curvas eléctricas son muy similares a las indicadas en la figura 1.2 aunque las prestaciones del transistor sufren una gran disminución al carecer de simetría; el colector está menos dopado y tiene mayor tamaño que el emisor.

El efecto más importante es la disminución de la ganancia en corriente en continua que pasa a tener valores altos (p.e., ßF=200) en la región directa lineal a valores bajos (p.e., ßI=2) en la región inversa lineal.

Enlaces relacionados
- Transistor bipolar o BJT
- Transistor Darlington
- Transistor como interruptor
- Probar diodos y transistores
- Medir beta de transistor

<< Modo de operación: Región de Saturación
Punto de Trabajo del transistor>>

Recomendar este tutorial a un amigo