MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta
aislada
Es un
tipo especial de transistor FET que tiene una versión NPN y otra PNP. El NPN es
llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P.
Una
delgada capa de material aislante formada de dióxido de silicio (SiO2)
(también llamada "sílice" o "sílica") es colocada del lado del semiconductor y
una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE) (ver la figura)
En el
MOSFET de canal N la parte "N" está conectado a la fuente (source) y al drenaje
(drain)
En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al
drenaje (drain)
En los
transistores bipolares la
corriente que circula por el colector es controlada
por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los
transistores FET, la corriente de salida es controlada por una
tensión de
entrada (un campo eléctrico). En este caso no existe corriente de entrada.
Los
transistores MOSFET se pueden dañar con facilidad y hay que manipularlos con
cuidado. Debido a que la capa de óxido es muy delgada, se puede destruir con
facilidad si hay alta tensión o hay electricidad estática.

Enlaces relacionados
- Manipulación del MOSFET
- C-MOSFET
- Transistor uniunión (UJT)
- Transistor de Uniunión programable (PUT)
- Transistor Darlington
Operación básica del MOSFET >>
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