JFET en región de saturación
En esta región, de similares características que un BJT enla región lineal, el JFET tiene unas características
lineales que son utilizadas en amplificación.
Se comporta como una fuente de intensidad controlado por la tensión
VGS cuya ID es prácticamente independiente de la tensión VDS.
La ecuación que relaciona la ID con la VGS se
conoce como ecuación cuadrática o ecuación de Schockley que viene dada por
 donde Vp es la tensión de estrangulamiento y la IDSS es la corriente de saturación.
Esta corriente se define
como el el valor de ID cuando VGS=0, y esta característica es utilizada con frecuencia para obtener una fuente de
corriente de valor constante (IDSS).
La ecuación 1.22 en el plano ID y VGS representa una parábola desplazada en
Vp.
Esta relación junto a las características del JFET de la figura 1.11 permiten obtener gráficamente el punto de
trabajo Q del transistor en la región de saturación. La figura 1.13 muestra la representación gráfica de este punto Q y la relación existente en ambas curvas las cuales permiten determinar el punto de polarización de un transistor
utilizando métodos gráficos.
JFET en región de ruptura
Una tensión alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por avalancha a través de la unión de
puerta. Las especificaciones de los fabricantes indican la tensión de ruptura entre drenaje y fuente con la puerta
cortocircuitada con la fuente; esta tensión se designa por BVDSS y su valor está comprendido entra 20 y 50 V.
Las
tensiones de polarización nunca deben superar estos valores para evitar que el dispositivo se deteriore.
Por último, comentar las diferencias existentes entre un NJFET y PJFET. Las ecuaciones desarrolladas
anteriormente para el JFET son válidas para el PJFET considerando el convenio de signos indicados en la tabla
1.2.
Enlaces relacionados
- FET de juntura o JFET
- MOSFET
- Manipulación del MOSFET
- C-MOSFET
<< Regiones de corte y lineal
Transistores MOSFET>>
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