Electrónica Unicrom
Conceptos Componentes Digitales PIC, PLC, Osciladores, Filtros, Máquinas Diagramas Foros
Circuitos Computadoras Referencia Instrumentos Mediciones Telecom Fuentes UPS
Registro Ayuda
Usuario:
Contraseña:
Contenido adicional
- Artículos
- Descargas
- Glosario electrónica
- Tópicos destacados
- Archivo de noticias
- Directorio de Enlaces
- Sitios amigos
- Avisos Clasificados
- Colaboradores
- Bienvenida
- Principiantes
- Normas de los Foros
- Tópicos archivados
- Antiguos foros
- Mapa del Sitio

Nuevos foros de Electrónica Unicrom
FET: Transistores efecto de campo

JFET en región de saturación y región ruptura

Este artículo forma parte del siguiente tutorial >>>


JFET en región de saturación

En esta región, de similares características que un BJT enla región lineal, el JFET tiene unas características lineales que son utilizadas en amplificación.

Se comporta como una fuente de intensidad controlado por la tensión VGS cuya ID es prácticamente independiente de la tensión VDS.

La ecuación que relaciona la ID con la VGS se conoce como ecuación cuadrática o ecuación de Schockley que viene dada por

Ecuación de Schochley o ecuación cuadrática, que relaciona ID con VGS  en un JFET - Electrónica Unicromdonde Vp es la tensión de estrangulamiento y la IDSS es la corriente de saturación.

Esta corriente se define como el el valor de ID cuando VGS=0, y esta característica es utilizada con frecuencia para obtener una fuente de corriente de valor constante (IDSS).

La ecuación 1.22 en el plano ID y VGS representa una parábola desplazada en Vp.

Esta relación junto a las características del JFET de la figura 1.11 permiten obtener gráficamente el punto de trabajo Q del transistor en la región de saturación. La figura 1.13 muestra la representación gráfica de este punto Q y la relación existente en ambas curvas las cuales permiten determinar el punto de polarización de un transistor utilizando métodos gráficos.

Curvas caraterísticas del JFET - Electrónica Unicrom

JFET en región de ruptura

Una tensión alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por avalancha a través de la unión de puerta. Las especificaciones de los fabricantes indican la tensión de ruptura entre drenaje y fuente con la puerta cortocircuitada con la fuente; esta tensión se designa por BVDSS y su valor está comprendido entra 20 y 50 V.

Las tensiones de polarización nunca deben superar estos valores para evitar que el dispositivo se deteriore. Por último, comentar las diferencias existentes entre un NJFET y PJFET. Las ecuaciones desarrolladas anteriormente para el JFET son válidas para el PJFET considerando el convenio de signos indicados en la tabla 1.2.

Convenio de signos en las tensiones y corrientes de un NJFET y PJFET - Electrónica Unicrom

Enlaces relacionados
- FET de juntura o JFET
- MOSFET
- Manipulación del MOSFET
- C-MOSFET


<< Regiones de corte y lineal
Transistores MOSFET>>


Recomendar a un amigo Recomendar este tutorial a un amigo
 


Contenido del Tutorial
Transistores de efecto de campo (FET)
1 FET y MOSFET. Ventajas y desventajas
2 Características eléctricas del JFET
Regiones de operación FET
3 Regiones de corte y lineal
4 Regiones de saturación y ruptura

5 Transistores MOSFET
Regiones de operación MOSFET
6 Regiones de corte y lineal
7 Regiones de saturación y ruptura
8 Polarización de los FETs

Enlaces recomendados

Patrocinadores



 



Poner Unicrom como página de inicio Poner Unicrom en Favoritos Privacidad   © 2002-12 Unicrom.com All Rights Reserved. MaxWebPortal Snitz Forums Ir arriba