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FET: Transistores efecto de campo

JFET en región de corte y región lineal

Este artículo forma parte del siguiente tutorial >>>


JFET en región de corte

En esta región la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0).

En este caso, la tensión entre puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de inversión bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y fuente.

En las hojas técnicas se denomina a esta tensión como de estrangulamiento o pinch-off y se representa por VGS(off) o Vp. Por ejemplo, el BF245A tiene una VGS(off)=-2V.

Curvas de resistencia drenador-fuente (rds(on)) para diferentes valores de VGS  - Electrónica Unicrom


JFET en región lineal

En esta región, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que es utilizada en muchas aplicaciones donde se precise una resistencia variable controlada por tensión.

El fabricante proporciona curvas de resistencia drenador-fuente (rds(on)) para diferentes valores de VGS tal como se muestra en la figura 1.12.

En esta región el transistor JFET verifica las siguientes relaciones:




Fórmula para la resistencia Drenaje-Fuente RDS  cuando el JFET está en la región lineal - Electrónica Unicrom

Enlaces relacionados
- FET de juntura o JFET
- MOSFET
- Manipulación del MOSFET
- C-MOSFET




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Contenido del Tutorial
Transistores de efecto de campo (FET)
1 FET y MOSFET. Ventajas y desventajas
2 Características eléctricas del JFET
Regiones de operación FET
3 Regiones de corte y lineal
4 Regiones de saturación y ruptura

5 Transistores MOSFET
Regiones de operación MOSFET
6 Regiones de corte y lineal
7 Regiones de saturación y ruptura
8 Polarización de los FETs

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