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Transistores efecto de campo (FET)

Características eléctricas del JFET

Este artículo forma parte del siguiente tutorial >>>


1.7.- Características eléctricas del JFET

El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados.

Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).

En la figura 1.10.a se describe un esquema de un JFET de canal n, en la 1.10.b el símbolo de este dispositivo y en la 1.10.c el símbolo de un JFET de canal P

Esquema y símboos del JFET - Electrónica UnicromLa polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente polarizadas.

En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a través de canal.

Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente para que la unión p-n se encuentre polarizado inversamente. Ambas polarizaciones se indican en la figura 1.11.

Curvas características de un  NJFET - Electrónica Unicrom

Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensión a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente.

Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o drenador a source o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensión drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones básicas de operación: corte, lineal, saturación y ruptura. A continuación se realiza una descripción breve de cada una de estas regiones para el caso de un NJFET.

Enlaces relacionados
- FET de juntura o JFET
- MOSFET
- Manipulación del MOSFET
- C-MOSFET


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Regiones de corte y lineal >>


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Contenido del Tutorial
Transistores de efecto de campo (FET)
1 FET y MOSFET. Ventajas y desventajas
2 Características eléctricas del JFET
Regiones de operación FET
3 Regiones de corte y lineal
4 Regiones de saturación y ruptura

5 Transistores MOSFET
Regiones de operación MOSFET
6 Regiones de corte y lineal
7 Regiones de saturación y ruptura
8 Polarización de los FETs

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